三溫區高溫管式爐

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簡要描述：三溫區高溫管式爐三個數字溫度控制器可獨立控制溫度，并可設置30段升降溫程序，溫區1（加熱區中心）采用硅碳棒加熱，另外兩個溫區用硅鑰棒進行加熱，此款三溫區高溫管式爐可以形成一個溫度梯度，調整三個溫區的溫度，在熱梯度下制備功能材料，同時也適用于CVD法制作薄膜外延生長。

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三溫區高溫管式爐三個數字溫度控制器可獨立控制溫度，并可設置30段升降溫程序，溫區1(加熱區中心）采用硅碳棒加熱，另外兩個溫區用硅鑰棒進行加熱，此款三溫區高溫管式爐可以形成一個溫度梯度，調整三個溫區的溫度，在熱梯度下制備功能材料，同時也適用于CVD法制作薄膜外延生長。爐體采用雙層殼體結構，并帶有風冷系統，使得殼體的表面溫度小于60度，爐腔的保溫材料采用高純氧化鋁，環保節能，可以減少熱量的損失，內爐膛表面涂有高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。

1600℃三溫區高溫管式爐主要用途：主要應用于高等院校、科研院所、工礦企業等實驗和小批量生產之用。用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD)工藝等。

產品名稱	1600℃三溫區高溫管式爐
產品型號	1600℃
工作溫度	1300℃，1500℃
上限溫度	1400℃，1600℃
溫控系統	溫控方式：兩個溫控系統單獨控制，都是采用PID方式調節30段可編程自動控制；
加熱速率	0~20℃/分
溫控保護	具有超溫及斷偶報警功能
爐膛尺寸	Φ60mmX1200mm
加熱區	總溫區長度660mm
	溫區1:220mm由硅碳棒加熱，工作溫度800-1400℃
	溫區2:220mm由硅鑰棒MoSi2進行加熱，工作溫度800-1600℃
	溫區2:220mm由硅鑰棒MoSi2進行加熱，工作溫度800-1600℃
真空密封系統	儀器標配中有一套不銹鋼真空密封法蘭，出氣和進氣端都安裝有不銹鋼截止閥，真空度：10-2 torr(用機械泵）;10-5 torr(用分子泵）
加熱元件	硅鉬棒，硅碳棒
工作電壓	AC 220V單項50Hz
大功率	10KW
氣密性	4.03×10-3Pa
測溫元件	S型B型
凈重	180Kg
爐管	高純度剛玉爐管
提供相關配件	真空泵、真空法蘭、真空表、爐塞、高溫手套、0型密封圈、說明書等其他配件用戶可選配
售后服務	12個月質保、終身保修

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